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英特尔也在开发混合键合技术。它被命名为Intel Foveros Direct。到目前为止，在堆叠半导体或将它们连接到电路板时一直使用焊球。混合键合则是将具有优良电性能的铜和铜直接连接起来，以减少堆叠间隙，提高信号传输速度。英特尔预测混合键合会将凸点间距减小到10微米以下，最快从今年下半年开始应用到英特尔的制造工艺中。